全球芯科技有限公司

GLOCHIP TECHNOLOGY LIMITED

ESSDPart NumberInterfaceForm FactorCapacitySequential ReadSequential WriteRandom ReadRandom WriteDWPDMZILG960HCHQSAS 24.0 Gbps2.5 inch960 GB4200 MB/s1200 MB/s600K IOPS55K IOPS1.0(5yrs)MZPLJ1T6HBJR-...

DATACENTER SSDPart NumberInterfaceForm FactorCapacitySequential ReadSequential WriteRandom ReadRandom WriteDWPDMZ3L630THBLF-00AW7PCIe 5.0 x4E3.S (1T)30.72 TB9000 MB/s6450 MB/s1550K IOPS300K IOPS1.0...

Samsung RDIMM料号DDR应用容量速率工作电压生产状态内存区块组织组件成分针脚数目M321R2GA3EB2-CWMDDR5服务器16 GB5600 Mbps1.1 V量产1R x 8(2G x 8) x 10288M321R4GA0EB2-CWMDDR5服务器32 GB5600 Mbps1.1 V量产1R x 4(4G x 4) x 20288M321R4GA3EB2-CWMDDR...

e-MMC SpecsCapacityPart Numbere-MMC VersionMax Data Rate(MB/s)Supply VoltageVCC (V)Supply VoltageVCCQ (V)Temperature(℃)Package Size(mm)4GBTHGBMNG5D1LBAIT5.0 4002.7 to 3.61.70 to 1.95, 2.7 to 3.6-25...

LPDDR > LPDDR4Part No.DensityVoltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ)SpeedPackageStatusTemperatureH54G56BYYVX0464GB1.8V / 1.1V / 1.1V4266Mbps200BallMPAIT(-40~95C)H54G56BYYQX0464GB1.8V / 1.1V / 1.1V4266Mbps200B...

PART NUMBERDENSITYOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTPART STATUS CODECOMPONENT CONFIGDRY PACK QTYDIMENSION (W X L X H) MMTAPE & REEL QTYMT62F512M32D2DS-031 AIT:B16Gb-40C to +95Cx32315-ballContact Sale...

PART NUMBERDENSITYMT/SOPERATING TEMPBUS WIDTHPIN COUNTPART STATUS CODEDRY PACK QTYTAPE & REEL QTYMT53B128M32D1DT-053 AAT:A4Gb3733MTPS-40C to +105Cx32200-ballContact Sales13602000MT53B128M32D1DT-053...

LPDDR5  Part Number DensityPackageSpeedVoltageTemperatureOrganizationProduct StatusK3LKJKJ0CM-MFCP24 Gb315 FBGA6400 Mbps1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V-40 ~ 95 °Cx32Mass ProductionK3LKJKJ0CM-MHCP24 Gb315 ...

LPDDR4X  Part Number DensityPackageSpeedVoltageTemperatureOrganizationProduct StatusK4U8E3S4AF-KFCL8 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 / 1.1 / 0.6 V-40 ~ 95 °Cx32SampleK4U8E3S4AF-KHCL8 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 ...

LPDDR4  Part Number DensityPackageSpeedVoltageTemperatureOrganizationProduct StatusK4F4E164HF-KFCL4 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 / 1.1 / 1.1 V-40 ~ 95 °Cx16SampleK4F4E164HF-KHCL4 Gb200 FBGA4266 Mbps1.8 /...

EMMC 5.1  Part Number InterfacePackage SizeCapacityVoltageTemperatureProduct StatusKLM8G1GEUF-B04PHS40011.5 x 13 x 0.8 mm8 GB1.8 / 3.3 V-40 ~ 95 °CMass ProductionKLM8G1GEUF-B04QHS40011.5 x 13 x 0.8...

MCP LPDDR2Product NameDRAM DensityFlash DensityConfigSpeedPackageGradeTemperatureAvailabilityNM1482KMLAXAL-3BI2Gb4Gbitsx321066Mbps162-ball BGAIndustrial-40C~105CMPNM1181NSLAXAJ-3BE1Gb1Gbitsx161066M...

LPDDR2Product NameDRAM DensityConfigSpeedPackageGradeTemperatureAvailabilityNT6TL64T32BA-G0H2Gbx321066Mbps134-ball BGAAutomotive-40C~105CMPNT6TL128T64BR-G0I8Gbx641066Mbps216-ball PoPIndustrial-40C~...

PC DDR4Part No.DensityOrganizationSpeedPackageProduct StatusH5ANBG6NAMR-XNC32Gbx163200MbpsFBGAMPH5ANBG6NAMR-WMC32Gbx162933MbpsFBGAMPH5ANBG6NAMR-VKC32Gbx162666MbpsFBGAMPH5ANBG8NABR-XNC32Gbx83200Mbps...

Samsung eMCP UMCP料号容量版本DRAM容量DRAM类型封装速率生产状态KM2F8001CM-B707256GBUFS2.148GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsMassProductionKM2P8001CM-B51864GBUFS2.148GbLPDDR4X254FBGA4266MbpsSampleKM3P6001CM-B51764GBeMMC48GbLPDD...

型号品牌封装规格温度范围MPQCXDB3ABAM-MK-ACXMT长鑫BGA200LP4X_1GB_3733Mobile(-25°C~85 °C)2000CXDB4CBAM-MK-ACXMT长鑫BGA200LP4X_2GB_3733Mobile(-25°C~85 °C)2000CXDB4CBAM-MJ-ACXMT长鑫BGA200LP4X_2GB_3200Mobile(-25°C~85 °C)...

2025年11月23日，第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）在上海盛大开幕。长鑫存储（CXMT）以“双芯共振，5力全开”为主题，首次大规模、系统化展示其最新一代DDR5与LPDDR5X内存产品线，一举填补多项国内高端存储空白，引发行业高度关注。DDR5产品系列全球领先参数正式亮相长鑫存储重磅发布最新一代DDR5产品系列，其核心亮点包括：1、最高速率达到8000 MT/...

在2025年11月23日开幕的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储（CXMT）以“双芯共振，5力全开”为主题，首次全面展示了旗下DDR5和LPDDR5X两大产品线最新产品。这次长鑫存储发布了最新DDR5系列产品，速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，包括UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七...

据韩媒报道，三星电子计划在明年年底前将其1c DRAM的产能提升至每月20万片晶圆。具体而言，三星计划在今年年底（第四季度）达到每月6万片晶圆的产能，并在明年第二季度增加8万片晶圆，明年第四季度再增加6万片晶圆，最终达到每月20万片晶圆的总产能。这一时间安排是基于设备安装的“前期准备”阶段，目标是在每个阶段都建立起能够进行大规模生产的系统。对1c DRAM产能的持续投资将持续到明年年底。三星...

三季度以来，上游相继控制资源供应并放缓出货节奏，甚至部分DRAM资源供应按下暂停键。而转眼间，时间来到今年最后一个季度的后半段，上游供应未见好转的同时市场持续消耗库存，现货市场存储供需矛盾愈演愈烈，更加强化了存储厂商控货惜售心态。资源供应全面收紧持续影响下，存储成品端多数产品延续涨价趋势。然而，存储芯片价格飙涨正对消费市场产生强烈的多米诺骨牌效应。一方面，价格传导机制正向消费终端加速蔓延。相...